典型加工零件
设备亮点
碳化硅晶棒的单面磨削（Single-Side Grinding）是碳化硅衬底制造中针对晶棒端面或切割后晶片表面进行精密加工的关键工序。与外圆磨削不同，单面磨削专注于在一个表面上实现高平面度、低表面粗糙度以及精确的厚度控制，为后续的晶片抛光或器件制造提供基础。
精密单面磨床：
1、高刚性结构： 抵抗碳化硅磨削时的巨大切削力。
2、空气静压主轴/高精度主轴： 驱动金刚石砂轮高速旋转（通常 > 1,500 rpm），保证运行平稳无振动。
3、真空吸盘或特种夹具： 平整吸附晶片/晶棒，防止装夹变形和滑动（尤其对薄晶片至关重要）。
4、在线厚度测量系统： 实时监测晶片厚度及TTV，实现闭环控制。
5、多轴数控系统： 精确控制砂轮路径、进给量、转速等参数。
工艺过程（以晶片磨削为例）
装片： 晶片被真空吸附在精密陶瓷吸盘上，确保无松动。
粗磨： 高进给速率去除大部分材料（如切除切割损伤层30μm），快速达到目标厚度附近。
精磨： 降低进给速率，多道次渐进磨削，优化平面度（TTV < 2μm）和表面粗糙度（Ra < 0.2μm）。
在线测量与补偿： 厚度传感器实时反馈数据，自动调整砂轮位置补偿磨损。
清洗干燥： 去除表面磨屑和冷却液残留。
技术参数
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