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碳化硅晶圆单面抛光

碳化硅晶圆的抛光分为粗抛与精抛两个阶段，其核心目标是去除切割后的损伤层，修正晶圆厚度和平行度。

关键词

碳化硅晶圆研磨

晶圆研磨

碳化硅研磨

机械抛光

所属分类

半导体

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典型加工零件

设备亮点

宇环适用设备

YH2MG81系列立式高精度研磨抛光机

设备亮点：

1. 机床设计刚性好，精度高
关键部件设计采用有限元分析；
关键导轨和轴承选用国产优质品牌；
进口精密电气比例阀控制抛光压力；
采用专利结构，确保加工过程中，工件受力均匀，产品精度高，一致性好;
2. 抛光盘最高转速90r/min，工件盘最高转速90r/min，抛光效率高；
3. 四个工件轴可单独控制抛光压力、抛光时间、转速，可做差异化加工；
4. 设备适用自动化上下料；
5. 与磨液接触零件采用防锈材质，或防锈处理，确保机床长期稳定工作；
6. 采用整体防护装置，设备更加环保安全，人工操作侧安装了安全光幕；
7. 采用PLC控制、人机界面友好，各关键传感器采用参数化显示，方便操作和控制